اينٽي عکاس فلم جي پيداوار جو عمل
هڪ پيغام ڇڏي ڏيو
ٽيڪنالاجي عمل
ترقي جي مواد ۽ گيس جا ذريعا مهيا ڪريو: اينٽي ريفليڪٽو فلم لاءِ ترقي جو مواد مهيا ڪريو، جهڙوڪ SiO ڪجهه مجسمن ۾، جڏهن ته گيس جا ذريعا مهيا ڪن جيڪي ترقي جي مواد سان ملن ٿا، جهڙوڪ SiH ₄، N ₂ O، ۽ N ₂ گيس جو ذريعو مجموعا.
اينٽي ريفليڪيشن پرت جي ٺهڻ: ساڳئي واڌ واري مواد کي ترتيب سان استعمال ڪريو گهٽ ۾ گهٽ ٻه اينٽي ريفليشن پرت ٺاهڻ لاءِ اينٽي ريفليڪيشن فلم جي سبسٽرٽ پرت تي. سبسٽرٽ پرت ۾ شامل ٿي سگھي ٿو SiO پرت، سي پرت، ۽ جذب واري پرت کي تسلسل ۾ فلم جي ترقي جي هدايت سان. مثال طور ٻن-پرت مخالف موٽڻ واري پرت (پهريون اينٽي ريفليڪيشن پرت ۽ ٻي اينٽي ريفليڪيشن پرت) کي مثال طور، اهو epitaxial ترقي جي عمل (جهڙوڪ پلازما اينهانسڊ ڪيميڪل وانپ جمع ڪرڻ جو طريقو PECVD) ذريعي ٺهي ٿو. مخصوص قدم هن ريت آهن:
سبسٽريٽ پروسيسنگ: سبسٽرٽ پرت تي سيمي ڪنڊڪٽر جي صفائي جي عمل کان پوءِ، سبسٽرٽ پرت کي CVD جمع ڪرڻ واري سامان تي رکو.
سامان جي پيٽرول سيٽنگون: CVD جمع ڪرڻ واري سامان جي مٿين اليڪٽرروڊ جي درجه حرارت کي 200-300 درجا ۽ هيٺين اليڪٽرروڊ جي درجه حرارت کي 250-350 درجا تي ڪنٽرول ڪريو.
پهرين اينٽي ريفليڪيشن پرت جي واڌ: CVD جمع ڪرڻ واري سامان جي پهرين جمع ڪرڻ واري پيرا ميٽرز کي ترتيب ڏيو، جنهن ۾ SiH ₄، N ₂ O، ۽ N ₂ جي پهرين حجم جي وهڪري جي شرح، پهريون گيس پريشر، CVD جمع ڪرڻ واري سامان جي پهرين آر ايف پاور، پهرين پتلي فلم جمع ڪرڻ جو وقت، پهرين ٿلهي فلم جي جمع ڪرڻ جو وقت، پهرين موٽڻ واري پرت جي ٿلهي يا ٿلهي ڪمبن سان گڏ. 10-200nm جي حد ۽ هڪ refractive انڊيڪس جي حد 1.4-1.71.
ٻي اينٽي ريفليڪيشن پرت جي واڌ: CVD جمع ڪرڻ واري سامان جي ٻئي جمع پيرا ميٽرز کي ترتيب ڏيو، بشمول SiH ₄، N ₂ O، ۽ N ₂ جي ٻئي حجم جي وهڪري جي شرح، ٻيو گيس پريشر، سي وي ڊي جمع ڪرڻ واري سامان جي سيڪنڊ آر ايف پاور، ٻئي پتلي فلم جمع ڪرڻ جو وقت، ٻيو ٿلهي فلم جمع ڪرڻ جو وقت، ٻي ڪنهن به اينٽي ڪامبن تي پهرين ريفريڪشن پرت، وغيره. موٽڻ واري پرت، 10-200nm جي ٿولهه جي حد سان ۽ هڪ اضطراب انڊيڪس رينج 1.4-1.71.
ٽيڪنالاجي فائدا
ساڳئي ترقي واري مواد کي استعمال ڪندي، مخالف ريفليشن فلم مختلف مواد جي اسٽيڪ ٿيل اينٽي ريفليشن فلمن جي مقابلي ۾ ساڳيو مخالف ريفليڪيشن اثر حاصل ڪري سگهي ٿي، استعمال ٿيل گيس ذريعن جي قسمن کي گھٽائڻ، تياري جي عمل جي مشڪلات کي گهٽائڻ، ۽ تياري جي جاءِ ۽ ڪم ڪرڻ واري علائقي کي وڌائي ٿي اسٽوريج ۽ تياري جي عمل دوران گئس ذريعن جي استعمال جي ڪري.
هائبرڊ SiO ₂/TiO ₂ مخالف عکاس فلم جي پيداوار جو عمل
ٽيڪنالاجي عمل
ذيلي ذخيري جي تياري: شفاف ذيلي ذخيري کي چونڊيو جيئن گلاس، نامياتي گلاس، پوليمائيڊ فلم وغيره، ۽ صاف ۽ مٽيءَ کان پاڪ مٿاڇري کي يقيني بڻائڻ لاءِ داغ هٽائڻ جو علاج ڪريو. جيڪڏهن ضروري هجي ته، روشنيءَ جي منتقلي جي ڪارڪردگيءَ کي بهتر ڪرڻ لاءِ سنگل-سائيڊڊ يا ڊبل-سائيڊڊ پالشنگ ڪري سگهجي ٿي.
فلم جي اڳڪٿي جي تياري: tetraethoxysilane (TEOS) ۽ tetrabutyl titanate (TBT) هڪ خاص تناسب ۾ NH ₄ OH تي مشتمل ايٿانول ۾ شامل ڪيا ويندا آهن، ۽ هڪ شفاف سول جيل سسٽم حاصل ڪرڻ لاءِ رد عمل 9-12 ڪلاڪن تائين رکيو ويندو آهي.
ڪوٽنگ ۽ علاج: تيار ڪيل سول جيل سسٽم شفاف سبسٽريٽ تي هڪجهڙائي سان گڏ ٿيل آهي، ۽ اسپن ڪوٽنگ، اسپرينگ، برشنگ ۽ ٻيون اسڪيمون استعمال ڪري سگهجن ٿيون. ڪوٽنگ ڪرڻ کان پوءِ، هائيبرڊ SiO ₂/TiO ₂ فلم اڳڪٿي کي تندور ۾ رکيل آهي علاج ۽ انيلنگ جي علاج لاءِ، هڪ ملٽي-پرت جي جوڙجڪ ٺاهي ٿي.
سرڪيولر ڪوٽنگ: ڪوٽنگ ۽ علاج جي عمل کي ورجايو جيستائين گهربل مخالف عکاس اثر حاصل نه ٿئي. مختلف ڪوٽنگ جا وقت ۽ ترتيب مخالف عکاس فلمن جي ڪارڪردگي تي اثر انداز ٿيندا، ۽ تحقيق ۽ اصلاح جي ضرورت آهي.
مٿاڇري جو علاج: مخالف عکاس فلم جي استحڪام ۽ استحڪام کي وڌائڻ لاء، هائيڊروفيلڪ ۽ هائيڊروفوبڪ پوليمر جي هڪ پرت کي مخالف عکاس فلم جي مٿاڇري تي کوٽ ڪري سگهجي ٿو.
انفراريڊ مخالف عکاس فلم جي پيداوار جو عمل
ٽيڪنالاجي عمل
انفراريڊ اينٽي ريفليڪيشن فلم سلڪون تي ٻڌل آهي ۽ سبسٽريٽ جي ٻنهي پاسن تي مخالف ريفليڪيشن فلمن سان گڏ ٿيل آهي. اينٽي ريفريڪشن فلم جي فلم سسٽم جي جوڙجڪ هڪ ٻئي کان آزاد آهي جيئن (HL) ^ S، جتي H نمائندگي ڪري ٿو Si پرت، L نمائندگي ڪري ٿو SiO پرت، S نمائندگي ڪري ٿو HL بنيادي ڍانچي جي مدت، ۽ S جو قدر 3-6 جي وچ ۾ هڪ عدد آهي. سي پرت سبسٽريٽ جي ڀرسان آهي، ۽ سي او پرت مٿاڇري تي واقع آهي. ڪوٽنگ جي عمل کي فلم جي پرت کي سبسٽريٽ سان ڳنڍڻ لاءِ استعمال ڪيو ويندو آهي، جنهن ۾ SiO فلم جي پرت کي ٻاهرئين پرت جي طور تي استعمال ڪيو ويندو آهي، جنهن جي مٿاڇري تي سختي هوندي آهي ۽ ان کي اضافي حفاظتي پرت جي ضرورت نه هوندي آهي. اضافي طور تي، سي اي او ۾ هڪ گهٽ اضطراب واري انڊيڪس آهي، جيڪا سطح جي عڪاسي کي گهٽائي سگهي ٿي ۽ انفراريڊ ٽرانسميشن کي وڌيڪ وڌائي سگھي ٿي.
اعلي-حرارت جي مزاحمتي CO ₂ ليزر مخالف عکاس فلم جي پيداوار جو عمل
ٽيڪنالاجي عمل
مواد کان اڳ پگھلڻ: يٽريم فلورائڊ، ڪلسيم يٽريم فلورائڊ، ۽ زنڪ سلينائيڊ فلمي مواد تي الڳ اڳ پگھلڻ جو علاج ڪيو ويندو آھي ته جيئن فلمي مواد جي اندر موجود نجاست کي ختم ڪيو وڃي.
جمع ڪرڻ واري فلم جي پرت: پهرين يٽريم فلورائڊ پرت، يٽريم ڪيلشيم فلورائڊ پرت، زنڪ سيلينائيڊ پرت، ۽ ٻيو يٽريم فلورائيڊ پرت ترتيبوار طور تي 3 ± 0.1mm جي ٿولهه سان زنڪ سيلينائيڊ سبسٽرٽ پرت تي جمع ٿيل آهي. هر پرت جي ڪوريج ايريا ذيلي پرت جي مٿاڇري واري علائقي جي 95٪ کان مٿي آهي. هر پرت لاءِ جسماني ٿولهه جون گهرجون هن ريت آهن: پهرين يٽريم فلورائيڊ پرت جي جسماني ٿلهي 95-100 نانو ميٽر آهي؛ ytterbium calcium fluoride پرت جي جسماني ٿولهه 860-870 nanometers آهي. زنڪ selenide پرت جي جسماني ٿولهه 240-250 nanometers آهي؛ ٻئي yttrium fluoride پرت جي جسماني ٿلهي 95-100 nanometers آهي.
ٽيڪنالاجي فائدا
تيار ڪيل مخالف عڪس جھلي هڪ سادي جوڙجڪ ۽ شاندار ڊيزائن آهي. چار پرت جي ميلاپ ۾ اعلي درجه حرارت جي مزاحمت، تيز ٽرانسميشن، مضبوط جھلي جي پرت، جھلي جي تہن جي وچ ۾ مڪمل دٻاء، ۽ جھلي جي تہن جي غير ڦاٽڻ جون خاصيتون آھن. اهو اعلي درجه حرارت جي حالتن هيٺ اجزاء جي مسلسل آپريشن کي پورو ڪري سگهي ٿو، ۽ هر پرت ۾ استعمال ٿيندڙ مواد غير ريڊيويڪل آهن، جيڪي آپريٽرز ۽ ماحول کي نقصان نه پهچائي سگهندا.